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存儲芯片是未來物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等新興領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵元件，因此存儲芯片的自主可控對我國新一輪信息化進(jìn)程的推進(jìn)具有十分重要的戰(zhàn)略意義。《國家集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、“制造2025”等系列政策的落實(shí)和大基金為首資本的大力投入，為國內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展打下了良好的基礎(chǔ)。

據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì)，我國半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)快速增長趨勢，半導(dǎo)體市場規(guī)模增速高于全球市場：2019年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為4,065.9億美元，我國半導(dǎo)體市場規(guī)模約為1,400億美元，占比超34%。

存儲芯片是半導(dǎo)體市場最主要的細(xì)分領(lǐng)域。服務(wù)器數(shù)據(jù)存儲需求隨著技術(shù)進(jìn)步而擴(kuò)大，對應(yīng)存儲芯片市場穩(wěn)定增加。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，至2023年，全球存儲芯片市場有望達(dá)到11.2千億，2019-2023年復(fù)合增速分別為5%。中國存儲芯片市場為6.49千億，2019-2023年復(fù)合增速分別為6%，中國占全球份額近60%。

中國作為全球電子產(chǎn)品的制造基地，長期以來都是存儲器產(chǎn)品最大的需求市場，但是國內(nèi)存儲芯片的自制率較低，國產(chǎn)替代的空間十分廣闊。

存儲芯片，又稱為存儲器，是指利用電能方式存儲信息的半導(dǎo)體介質(zhì)設(shè)備，其存儲與讀取過程體現(xiàn)為電子的存儲或釋放，廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費(fèi)電子、智能終端、固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域，是應(yīng)用面最廣、市場比例最高的集成電路基礎(chǔ)性產(chǎn)品之一。

存儲芯片技術(shù)主要集中于企業(yè)級存儲系統(tǒng)的應(yīng)用，為訪問性能、存儲協(xié)議、管理平臺、存儲介質(zhì)，以及多種應(yīng)用提供高質(zhì)量的支持。隨著數(shù)據(jù)的快速增長，數(shù)據(jù)對業(yè)務(wù)重要性的日益提升，數(shù)據(jù)存儲市場快速演變。

存儲芯片主要分為閃存和內(nèi)存，閃存包括NAND FLASH和NORFLASH，內(nèi)存主要為DRAM。NOR、DRAM和NAND市場規(guī)模分別為26、830和610億美元。當(dāng)下最主流的存儲器是DRAM以及NAND，這兩者占據(jù)了所有半導(dǎo)體存儲器規(guī)模的95%左右。

其中，DRAM屬易失性存儲器：在外部電源切斷后，存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)也隨之消失，主要用于各類PC、服務(wù)器、工作站、智能手機(jī)的內(nèi)部存儲單元；Flash屬于非易失性存儲器：能夠保持所存儲的內(nèi)容，主要應(yīng)用于存儲卡、U盤、SSD固態(tài)硬盤、移動終端的內(nèi)部嵌入式存儲器等。

同為閃存的NAND FLASH的NOR FLASH的區(qū)別主要在于應(yīng)用領(lǐng)域不同，NAND FLASH主要應(yīng)用于智能手機(jī)、SSD、SD卡等高端大容量產(chǎn)品，而NOR FLASH主要應(yīng)用于功能機(jī)、MP3、USBKEY、DVD等低端產(chǎn)品。此外，在汽車電子、智能機(jī)手機(jī)中TDDI、AMOLED中也會用到NOR FLASH。

存儲芯片產(chǎn)業(yè)技術(shù)含量高、規(guī)模效應(yīng)明顯，全球DRAM和NAND市場均表現(xiàn)出明顯的壟斷格局。

全球DRAM產(chǎn)業(yè)由韓國三星、韓國海力士及美國美光等前三大廠商形成寡頭市場，合計(jì)占據(jù)95%的市場份額。

三星、海力士和美光三家企業(yè)均擁有自己的DRAM內(nèi)存芯片工廠，并擁有自己的工藝。而對于很多中小型DRAM企業(yè)，沒有工廠，很難保證產(chǎn)品良率和性價(jià)比。國內(nèi)近年來也有很多企業(yè)建廠，但都是小批量，很難保證大產(chǎn)能的DRAM芯片的良率。

DRAM技術(shù)的投入太大導(dǎo)致很多企業(yè)無法承受，動輒幾百億。據(jù)悉，三星曾投資近百億美金加大研發(fā)最新的DRAM技術(shù)。而國內(nèi)的合肥長鑫與兆易創(chuàng)新聯(lián)合投入百億研發(fā)技術(shù)，這也讓很多企業(yè)望而卻步。

在DRAM的終端應(yīng)用上，從過去主要集中在PC相關(guān)應(yīng)用，擴(kuò)充為目前多元化的應(yīng)用，其中智能手機(jī)為最大應(yīng)用市場區(qū)塊，而服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心因?yàn)樵贫藨?yīng)用的高成長，成為成長最快速的區(qū)塊。

NAND Flash顆粒原廠中，主要的廠家為三星、鎧俠、西數(shù)、美光等。與DRAM市場格局一樣，三星同樣處于領(lǐng)先地位，市占率為34%，但NAND Flash市場集中度稍微低于DRAM市場。鎧俠與西數(shù)的合資工廠產(chǎn)能共用，若將其收入合并計(jì)算，其市占率與三星伯仲相當(dāng)。

國產(chǎn)廠商規(guī)模最大的當(dāng)屬長江存儲。公司日前宣布，最新128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，這也是全球首款128層QLC閃存。目前，該閃存已通過多家知名控制器企業(yè)在固態(tài)硬盤等終端存儲產(chǎn)品上的驗(yàn)證。

NOR存儲芯片行業(yè)同樣高度壟斷，全球前五大巨頭壟斷了近50%的市場。根據(jù)CINNO Research 2019年第二季度數(shù)據(jù)，華邦（23.4%）、旺宏（23.2%）、Cypress（18.3%）、兆易創(chuàng)新在NORFlash領(lǐng)域全球占比（13.9%）超越美光（10.9%）站上第四名的位置，創(chuàng)下中國存儲產(chǎn)業(yè)的新里程碑。

當(dāng)前我國正處在由低端制造業(yè)轉(zhuǎn)向高尖端工業(yè)化的進(jìn)程中，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型迫在眉睫，存儲芯片在推動國家信息化上承擔(dān)著關(guān)鍵作用。因此，扶持本土存儲器廠商發(fā)展壯大，發(fā)展國產(chǎn)存儲芯片迫在眉睫。隨著5G應(yīng)用啟動及人工智慧應(yīng)用發(fā)展，自駕車、邊緣運(yùn)算及新興多元應(yīng)用將為存儲芯片產(chǎn)業(yè)持續(xù)增長帶來廣闊空間。

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